Проектирование принципиальных электрических схем радиоэлектронных устройств

Один из широко используемых программно-методических комплексов схемотехнического проектирования в ECAD

Математическая модель, отличающаяся сравнительной простотой, обеспечивающей высркую вычислительную ффективность

Математическая модель объекта, полученная на основе анализа физических процессов, протекающих в моделируемом объекте

Математическая модель, построенная на основе формального сходства между проявлением свойств модели и объекта. При этом уравнения модели выводятся не из физических представлений о работе прибора, а путём экспертного подбора функциональных зависимостей для наилучшей аппроксимации экспериментально полученных характеристик.Другими словами, это модель типа "черный ящик"

Электронная схема, при анализе которой требуется моделирование колебательных процессов в ней на протяжении большого числа периодов

Преобразование функции времени в функцию частоты

Дискретное преобразование Фурье, при котором достигается существенное уменьшение объема вычислений по сравнению с классическим ДПФ.

Соотношения между параметрами гармоник, используемые при моделировании стационарных режимов нелинейных электронных схем

Метод анализа периодических процессов в электронных схемах, основанный на решении краевой задачи, т.е решении системы уравнений схемы при дополнительном условии x(0)=X(T), где Т — период колебаний

Метод анализа переходных процессов в многопериодных схемах, основанный на экстраполяции или интерполяции огибающей высокочастотных колебаний

Модель биполярного транзистора, предложенная Эберсом и Моллом

Модель биполярного транзистора, более точная, но требующая большого числа исходных данных по сравнению с моделью Эберса-Молла

Модель биполярного транзистора (разновидность модели Эберса-Молла), впервые использованная в отечественной программе ПАЭС

Уравнения и/или эквивалентная схема, отображающие свойства МОП-транзисторов

BSIM (Berkeley Short-channel IGFET Model) — группа моделей МОП-транзисторов, разработанная в университете Беркли (Berkeley)

Модель МОП-транзистора, созданная в университете Беркли (США) и предназначенная для моделирования как аналоговых, так и цифровых схем. Относится к физическим моделям

Новое поколение физических моделей МОП-транзисторов с расширенными возможностями для 100 нм технолгии

Свойство сигнала иметь и сохранять форму, позволяющую распознавать информацию, представляемую сигналом

Способность электронного устройства, оборудования или иной системы функционировать в условиях воздействия внешнего электромагнитного излучения, создаваемого другими устройствами и системами, и не создавать при этом электромагнитных помех

Моделирование электромагнитных полей, высокочастотных радиоустройств и СВЧ монолитных микросхем, анализ помех и наводок в аппаратуре