В 2002 г. ведущие компании полупроводниковой индустрии использовали технологии изготовления СБИС с проектными нормами 90 нм, в 2005 г. - 70 нм, в 2006 г. перешли на 65 нм технологию, в начале 2008 г. компания IBM представила первый процессор, изготовленный по 32 нм технологии, а в конце того же года заявила о создании ячейки памяти с нормами уже 22 нм. В Intel выпускаются схемы Nehalem с 32-нм нормам, выход процессоров, изготовленных по 22-нм технологии, запланирован на 2011 г. Компании Intel, Toshiba и Samsung Electronics проводят консультации по планам разработки 10 нм. К 2022 г. компания Intel планирует достичь проектных норм в 4 нм.

В то же время некоторые специалисты предполагают, что 22-нм технология будет последней планарной кремниевой технологией. Далее ожидается внедрение, во-первых, 3D многослойных структур и, во-вторых, переход на новые углеродные структуры.

Одно из направлений нанотехнологий — наносеть или так называемая "электронная кожа".

Наносеть представляет собой куски разрезанных металлизованных нанотрубок, формирующие проводящие участки в составе матрицы тонких нитей.

Главным положительным фактором является на порядок более высокая подвижность носителей заряда в"нанотрубочных" транзисторах по сравнению с полимерными материалами.

Интегральные схемы на основе углеродных нанотрубок выдерживают сильные изгибы, позволяют работать с высокочастотным сигналом (в килогерцовом диапазоне), а также с невысоким рабочим напряжением, не превышающим значения в 5 Вольт.

Дальнейшая оптимизация технологии изготовления позволит добиться существенного увеличения производительности, вплоть до возможности замены не только "медленных" полимерных транзисторов, но и довольно "скоростных" кремниевых.

Основа матрицы может быть любая – как пластик, так и различные тканевые или стеклянные основы. Подобный подход дает замечательные перспективы для всех типов "электронной бумаги" и так называемой "электронной кожи".