Модель Гуммеля-Пуна - это модель биполярного транзистора, в которой по сравнению с моделью Эберса-Молла учитывается ряд дополнительных эффектов, что повышает точность моделирования. Однако для использования модели Гуммеля-Пуна требуется больший объем исходных данных - в модели число параметров увеличено до 25. Если пользователь не располагает такими данными, то в программах анализа, используемых на схемотехническом уровне, предусмотрен переход к использованию модели Эберса-Молла.
В модели Гуммеля -Пуна учитываются влияние уровня инжекции на коэффициент усиления, эффект Кирка - расширение базы в область коллектора, эффект Эрли - модуляция ширины базы.
Уравнения модели:
, ,
где
= λ(- )+,
= - λ(- )+,
= [exp(/φт) - 1],
= [exp(к/φт) - 1],
= [exp(/φт) - 1] + [exp(/φт) - 1],
= [exp(к/φт) - 1] + [exp(к/φт) - 1],
= + (λτ)/,
к = + (λτи)/,
λ = 2{1+/+к/+[}-1,
= (1+1/4(-)np/[(τ/)2+)]2,
= τ/ + (-),
= {1+}
= {1+}.
Таким образом, в модели используются 25 параметров: ,,,,,τ,τи,,,,,,,,,θэ,,,θк, , ,, , , где последние три параметра определяют объемное сопротивление тела базы =+λ и объемное сопротивление тела коллектора .
